|
| Сигналы | Синусоидальный, прямоугольный, импульсный, пилообразный, треугольный, кардинальный синус (Sinc), функция Гаусса, функция Лоренца, экспоненциальное нарастание и спад, гаверсинус, кардиосигнал и произвольный сигнал. |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 50 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
| Неравномерность АЧХ | ±0,5 дБ, тип., на частоте 1 кГц (±1,5 дБ для амплитуд <20 мВпик-пик) |
| Полный коэффициент гармоник (тип.) | 1%, нагрузка 50 Ом |
| 2% для амплитуды < 50 мВ и частот > 10 МГц |
| 3% для амплитуды < 20 мВ и частот > 10 МГц |
| Динамический диапазон без паразитных составляющих | -40 дБн (Vпик-пик ≥ 0,1 В); -30 дБн (Vпик-пик ≤ 0,1 В), нагрузка 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 25 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
| Коэффициент заполнения | от 10% до 90% или мин. длительность импульса 10 нс, выбирается большее |
| Разрешение коэффициента заполнения | 0.1% |
| Минимальная длительность импульса | 10 нс (тип.) |
| Время нарастания/спада | 5 нс, тип. (от 10% до 90%) |
| Разрешение длительности импульса | 100 пс |
| Глитч | < 2%, тип., для скачков сигнала, больших 100 мВ |
| Асимметрия | ±1% ±5 нс, при коэффициенте заполнения 50% |
| Джиттер (ср. кв.TIE) | < 500 пс, тип. |
|
| Диапазон частот | от 1 Гц до 500 кГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
| Коэффициент симметрии | от 0 % до 100 % |
| Разрешение симметрии | 0.1% |
|
| Диапазон уровней | ±2,5 В в режиме с высоким импедансом; ±1,25 В при входном сопротивлении 50 Ом |
|
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
| Разрешение амплитуды | от 0% до 100%, шаг 1% |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 2 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 3,0 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 1,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 5 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 1,25 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 5 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 2,4 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 1,2 Впик-пик при нагрузке 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 5 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 1,25 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 5 МГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 1,25 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
|
| Диапазон частот | от 0,1 Гц до 500 кГц |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
|
| Объем памяти | от 1 до 128 КБ |
| Диапазон амплитуды | от 20 мВпик-пик до 5 Впик-пик в режиме с высоким импедансом; от 10 мВпик-пик до 2,5 Впик-пик, нагрузка 50 Ом |
| Частота повторения | от 0,1 Гц до 25 МГц |
| Частота дискретизации | 250 Мвыб./с |
|
| Синусоидальный и пилообразный сигналы | 130 х 10-6 (частота < 10 кГц) |
| 50 х 10-6 (частота ≥ 10 кГц) |
| Прямоугольный и импульсный сигналы | 130 х 10-6 (частота < 10 кГц) |
| 50 х 10-6 (частота ≥ 10 кГц) |
| Разрешение | 0,1 Гц или 4 разряда; выбирается большее |
| Погрешность амплитуды | ±[ (1,5%от установленной амплитуды от пика до пика) + (1,5% от установленного постоянного смещения) + 1 мВ ] (частота = 1 кГц) |
|
| Диапазон постоянного смещения | ±[2,5 В – (амплитуда сигнала)/2] в режиме с высоким импедансом; ±[1,25 – (амплитуда сигнала)/2 ], нагрузка 50 Ом |
| Разрешение постоянного смещения | 1 мВ в режиме с высоким импедансом; 500 мкВ при входном сопротивлении 50 Ом |
| Погрешность смещения | ±[(1,5% от установленного абсолютного постоянного смещения) + 1 мВ]; увеличивается на 3 мВ при каждом повышении температуры на 10 °C, начиная от +25 °C |
